[通过使用上海伯东美国 KRi 离子源可以对材料进行加工, 真空环境下, 实现沉积薄膜, 干式蚀刻和材料表面改性等工艺.
KRi 离子源常见工艺应用
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工艺应用 |
简称 |
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In-situ substrate preclean 预清洁 |
PC |
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Ion-beam modification of material and surface properties |
IBSM |
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- Surface polishing or smoothing 表面抛光 |
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- Surface nanostructures and texturing |
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- Ion figuring and enhancement 离子计算和增强 |
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- Ion trimming and tuning 离子修整和调谐 |
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- Surface-activated bonding 表面激活键合 |
SAB |
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Ion-beam-assisted deposition 辅助镀膜 |
IBAD |
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Ion-beam etching 离子蚀刻 |
IBE |
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- Reactive ion-beam etching 活性离子束蚀刻 |
RIBE |
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- Chemically assisted ion-beam etching 化学辅助离子束蚀刻 |
CAIBE |
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Ion-beam sputter deposition 离子溅射 |
IBSD |
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- Reactive ion-beam sputter deposition 反应离子溅射 |
RIBSD |
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- Biased target ion-beam sputter deposition |
BTIBSD |
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Direct deposition 直接沉积 |
DD |
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- Hard and functional coatings |
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1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等*域, 上海伯东是美国 KRi考夫曼公司离子源中国总代理.
若您需要进*步的了解 KRi 霍尔离子源, 请参考以下联络方式
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