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KRi 离子源预清洁可以实现
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留
去除化学吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å
KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用
实验条件: 8寸硅片带铜膜, 通氩气, 60s
污染物清除: 有机物,吸附气体
数据来源: 俄歇电子能谱 Auger spectra, 美国 KRi 原厂资料
KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用
实验条件: 轻蚀刻, 硅片去除很薄的金属膜, 通氩气
污染物清除: 去除金属薄膜 (w/ Ni/Fe)
数据来源: 美国 KRi 原厂资料
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利.
上海伯东美国 KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等*域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
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