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与国产离子源对比, 上海伯东美国 KRi 射频离子源主要特点
无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 单次工艺时间更长, 非常适用于复杂, 精密的多层薄膜制备
提供致密, 光滑, 无针孔, 耐用的薄膜
远离等离子体: 低基材温度, 不需要偏压衬底
溅射任何材料, 不需要射频溅射电源
清洁, 低污染工艺
优良的反应沉积工艺, 沉积原子为坚硬, 耐用的薄膜保留溅射能量
可控制的离子能量, 离子电流密度
KRi 离子源在 IBSD 离子束溅射沉积应用
通常安装两个离子源
主要溅射沉积源和二次预清洁 / 离子辅助源
*次气源为惰性气体, 二次气源为惰性或反应性气体
基板远离溅射目标
工艺压力在小于× 10-4 torr
美国 KRi RFICP 射频离子源技术参数
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型号 |
RFICP 40 |
RFICP 100 |
RFICP 140 |
RFICP 220 |
RFICP 380 |
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Discharge 阳* |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
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离子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
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栅*直径 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
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长度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
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直径 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD *域.
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