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锗作为常用的红外光学元件材料, 具有折射率高、表面反射损失大以及表面易划伤等特点, 因此必须镀制高性能红外增透膜, 膜层强度差*直是*个难题, 其原因是膜层材料结构疏松、易吸潮. 因此, 加工过程除了选择好的膜料外, 还应采用离子束辅助沉积技术来增强薄膜的强度. 红外材料由于基片的本体吸收、散射和反射等因素导致红外镜片在各波段透过率受限, 应用中需要减少反射率. 另外红外镜片的使用环境不同, 从而需要在基片表面进行光学镀膜, 如高温高湿、盐雾和风沙等恶劣环境等, 导致镜片需要通过镀膜技术来实现各种应用需求.
KRI 离子源在锗基红外镀膜中的应用
红外光学元件材料中的锗基材料, 主要考虑8-14μm这*波段, 不镀膜情况下锗基材料的透过率只有40-50%, 而镀了增透膜之后的透过率可以大大提高, 达到90%以上, 这样可以减少锗基材料表面的反射率, 提高产品的识别灵敏度和测温距离. 而且多数客户还会要求镀DLC类金刚石碳膜, 用来加强锗材料的硬度, 起到*定的防爆效果.
经过推荐客户采用光学镀膜机加装美国原装进口KRi 霍尔离子源 eH 400, 在膜层在稳定性、附着力、致密度和牢固度等性能大幅度提高, 解决了环测膜层脱落问题, 透过率大大提高, 大幅度提高膜层质量, 完全达到客户工艺要求.
美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等*的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供*套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD *域.
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