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离子源镀膜前基片预清洁 Pre-clean 和辅助镀膜 IBAD
考夫曼离子源 KDC 40 中心到基片中心距离控制在 300mm, 离子源和基片都设计为高度可调节, 客户可根据不同的工艺要求选择合适的角度. 离子源上面做可联动控制的盖板, 在离子源刚启动时关闭盖板, 待离子束流稳定后打开盖板, 对基片做预清洁和辅助镀膜等工艺, 保证工艺的稳定性和均匀性. 当工艺完成后可以技术关闭盖板, 保证离子源不被污染, 延长离子源使用寿命, 降低保养成本.
KRi 离子源镀膜前基片预清洁 Pre-clean
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留
去除化学吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å
KRi 离子源辅助镀膜 IBAD
通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子/分子的流动性, 从而导致薄膜的致密化.
通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到化学计量完整材料.
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
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型号 |
KDC 40 |
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供电 |
DC magnetic confinement |
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- 阴*灯丝 |
1 |
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- 阳*电压 |
0-100V DC |
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电子束 |
OptiBeam™ |
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- 栅* |
专用, 自对准 |
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-栅*直径 |
4 cm |
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中和器 |
灯丝 |
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电源控制 |
KSC 1202 |
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配置 |
- |
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- 阴*中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
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- 架构 |
移动或快速法兰 |
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- 高度 |
6.75' |
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- 直径 |
3.5' |
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- 离子束 |
聚集, 平行, 散射 |
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-加工材料 |
金属, 电介质, 半导体 |
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-工艺气体 |
惰性, 活性, 混合 |
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-安装距离 |
6-18” |
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- 自动控制 |
控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 适用于标准和新兴材料工艺. 在原子水平上工作的能力使 KDC 离子源能够有效地设计具有纳米精度的薄膜和表面. 无论是密度压实, 应力控制, 光学传输, 电阻率, 光滑表面, 提高附着力, 垂直侧壁和临界蚀刻深度, KDC 离子源都能产生有益的材料性能. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.
上海伯东同时提供热蒸镀机所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发更高质量的设备.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD *域.
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