伯东企业（上海）有限公司

 上海伯东 Hakuto 日本原装设计制造离子束刻蚀机 IBE (离子蚀刻机) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 纳米*别材料的表面刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%. 几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 广泛应用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性器件 …, 满足研发和量产需要. IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料.

            离子刻蚀机 4IBE                                   离子刻蚀机 20IBE                        全自动蚀刻机 MEL 3100

离子束刻蚀机 IBE 特性:
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米*别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%
5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
6. 配置德国 Pfeiffer 分子泵







离子束刻蚀机 IBE 型号参数
上海伯东提供用于研究分析的小尺寸离子刻蚀机, 用于生产制造的大尺寸离子蚀刻机, 以及全自动刻蚀机. 满足研发和量产需求！

型号	4IBE	7.5IBE	10IBE	16IBE	20IBE-C	20IBE-J	MEL 3100
样品数量尺寸	φ4”X 1	φ4” X1	φ8” X1	φ6”X1	φ3” X8 φ4” X6	φ4” X12 φ5” X10 φ6” X8	φ3” -φ6”X1
离子束入射角度	0～± 90	0～± 90	0～± 90	0～± 90	0～± 90	0～± 90	-
离子源	考夫曼型	考夫曼型	考夫曼型	考夫曼型	考夫曼型	考夫曼型	-
*限真空度 Pa	≦1x10-4	≦1x10-4	≦1x10-4	≦1x10-4	≦1x10-4	≦1x10-4	≦8x10-5
均匀性	≤±5%	≤±5%	≤±5%	≤±5%	≤±5%	≤±5%	≤±5%

上海伯东日本原装进口离子束刻蚀机推荐应用:

类别	器件	刻蚀材料
磁性器件	自旋电子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD	Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等…
传感器 MEMS	铂热电阻, 流量计, 红外传感器, 压电打印机头等	PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等…
RF 射频器件	射频滤波器, GaAs / GaN HEMT 等	Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等
光电子	激光二*管, 光电探测器, 薄膜分装等	Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等
其他	探针卡, 薄膜片式电阻器, 氧化物, 超导等	NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等

自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子刻蚀机. 刻蚀机配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵. 伯东公司超过 50年的离子束刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 上海伯东也是美国 KRi 离子源中国总代理, KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 若您需要进*步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：

上海伯东: 罗女士                            台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-3511 ext 108           T: +886-03-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                       F: +886-03-567-0049
M: +86 152-0195-1076                      M: +886-939-653-958

上海伯东版权所有, 翻拷必究！